優(yōu)質(zhì)氮化鎵外延片供應(yīng)商 —— 擁有MOCVD外延生長(zhǎng)設(shè)備5臺(tái)，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應(yīng)用GaN外延材料，年產(chǎn)能GaN外延片3000片。 |
 | 硅基氮化鎵外延片 GaN-on-silicon 4-8inch 硅基氮化鎵外延片，可滿(mǎn)足電力電子級(jí)射頻功率器件應(yīng)用 |
 | 多種襯底氮化鎵外延片 Multiple substrate Gan epitaxial wafers 碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵等多種類(lèi)型襯底的氮化鎵外延片 |
 | GaN電力電子器件 GaN power electronic devices 650V~1200V，10A-40A氮化鎵電力電子器件。 |
| 人工鉆石 GaN power electronic devices 高精度高純度人工鉆石，支持各種切割方式，支持IGI一鉆一證。 |
| 外延片代加工、測(cè)試服務(wù) GaN power electronic devices 提供各類(lèi)晶圓、芯片、外延片測(cè)試加工服務(wù) |
質(zhì)量穩(wěn)定，性能突出
外延材料技術(shù)優(yōu)秀
關(guān)鍵指標(biāo)優(yōu)秀
核心技術(shù)，提升價(jià)值
擁有多項(xiàng)核心技術(shù)獲多項(xiàng)授權(quán)專(zhuān)利，并發(fā)表多項(xiàng)公開(kāi)論文及高水平專(zhuān)著
全面評(píng)估，歷經(jīng)測(cè)試
依托西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院，建設(shè)氮化鎵功率器件可靠性測(cè)試平臺(tái)，具備氮化鎵外延片及功率器件全參數(shù)的測(cè)量機(jī)極端環(huán)境可靠性評(píng)估能力。
自行研發(fā)，更新迭代
整合培訓(xùn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，通過(guò)對(duì)氮化鎵外延片結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、制造、更新迭代，完成應(yīng)用于工業(yè)級(jí)的氮化鎵產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研制、性能調(diào)試和定型。
·磁控濺射：用于金屬或化合物薄膜的物理氣相沉積。
·電子束蒸發(fā)：用于金屬(Ti、Ni、Ag、Al等)蒸發(fā)沉積。
·等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)：用于沉積SiO?、SiN?等介質(zhì)薄膜。
·金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)：用于化合物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)。
·光刻(SUSS光刻機(jī))：支持投影式光刻，適用于2英寸至200mm晶圓。
·電子束光刻(EBL)：支持≤10nm高分辨率圖形直寫(xiě)。
·等離子體去膠(灰化)：用于光刻膠去除。
·電感耦合等離子刻蝕(ICP)：高密度等離子體刻蝕，適用于SiO?、SiN?等。
·RCA清洗：標(biāo)準(zhǔn)晶圓清洗工藝。
·水清洗、有機(jī)超聲清洗：適用于4/6英寸晶片。
·甩干機(jī)：晶片脫水與烘烤。
·薄膜應(yīng)力測(cè)試儀：測(cè)量薄膜應(yīng)力引起的基板變形。
·光學(xué)膜厚測(cè)量?jī)x：通過(guò)光譜反射測(cè)量薄膜厚度。
·三維光學(xué)輪廓儀：表面粗糙度與形貌分析。
·原子力顯微鏡(AFM)：納米級(jí)表面形貌與物理性質(zhì)分析。
·高分辨X射線(xiàn)衍射儀(HRXRD)：晶體結(jié)構(gòu)、應(yīng)力、物相分析。
·掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡與拉曼系統(tǒng)：化學(xué)成分、結(jié)晶度、形貌分析。
·光致發(fā)光測(cè)試(PL)：材料能帶與缺陷分析。
·透射電子顯微鏡(TEM)：表面形貌與成分分析(需確認(rèn)是否可用)。
·功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)：導(dǎo)通電阻、閾值電壓、擊穿電壓等。
·動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)：開(kāi)關(guān)特性、反向恢復(fù)、柵極電荷等。
·熱特性測(cè)試系統(tǒng)：結(jié)殼熱阻、熱容、導(dǎo)熱系數(shù)等。
·變溫霍爾測(cè)試系統(tǒng)：載流子濃度、遷移率、電阻率測(cè)量。
·微光顯微鏡(EMMI)：缺陷定位與漏電分析。
·激光劃片：高精度晶圓切割。
·打標(biāo)機(jī)：晶圓激光標(biāo)注。
·快速退火爐：晶圓退火處理。
·石墨承載盤(pán)烘烤：用于MOCVD后處理。
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