產(chǎn)品詳情產(chǎn)品評論(0)
可廣泛應(yīng)用于偵測各種器件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，包括柵氧化層缺陷(Gate oxide defects)、靜電失效(ESD Failure)、閂鎖效應(yīng)(Latch Up)、漏電(Leakage)、結(jié)漏電(Junction Leakage) 、正向偏壓(Forward Bias)及在飽和區(qū)域工作的晶體管，可由EMMI定位，找熱點或亮點位置，進(jìn)而獲得漏電原因，幫助后續(xù)進(jìn)一步的失效分析。配備Si CCD以及
安徽進(jìn)步半導(dǎo)體主營4~6寸硅基氮化鎵外延片、碳化硅氮化鎵外延片、藍(lán)寶石氮化鎵外延片、人工鉆石、芯片外延片測試、封裝、加工服務(wù)，歡迎致電咨詢！
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